MOSFET STMicroelectronics, canale N 200 V, 1.5 Ω Miglioramento, 1 A, 4 Pin, SOT-223, Montaggio superficiale STN4NF20L

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
151-425
Codice costruttore:
STN4NF20L
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

SOT-223

Serie

STN

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.9nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.6V

Dissipazione di potenza massima Pd

3.3W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
La serie Power MOSFET di STMicroelectronics è stata sviluppata utilizzando il processo STripFET, appositamente progettato per ridurre al minimo la capacità di ingresso e la carica del gate. Ciò rende il dispositivo adatto per l'uso come interruttore primario in convertitori c.c.-c.c. isolati ad alta efficienza avanzati.

Eccezionale capacità dv/dt

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Bassa carica del gate

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