MOSFET Vishay, canale N, 4.3 mΩ 40 V, 88 A Miglioramento, SO-8, Superficie, 4 Pin SQJ146ELP-T1_GE3

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Codice RS:
210-5039
Codice costruttore:
SQJ146ELP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

88A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

SQJ146ELP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

75W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.25mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a canale N da 40 V (D-S) 175 °C Vishay Automotive è dotato di un contenitore PowerPAK SO-8L con corrente di scarico di 88 A.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

Certificazione AEC-Q101

Testato al 100% Rg e UIS

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