MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 4 mΩ Miglioramento, 123 A, 4 Pin, SO-8, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

783,00 €

(IVA esclusa)

954,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 3000 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,261 €783,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
210-5046
Codice costruttore:
SQJ152ELP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

123A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SO-8

Serie

SQJ152ELP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

136W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22.5nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

6.25 mm

Altezza

1.1mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a canale N Vishay da 40 V (D-S) e 175 °C per uso automobilistico è dotato di contenitore tipo SO-8L PowerPAK con corrente di drain di 123 A.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

Qualifica AEC-Q101

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati