2 MOSFET Vishay, canale Tipo N, 123 A 40 V, SO-8L, Superficie Miglioramento, 4 Pin SQJ740EP-T1_GE3
- Codice RS:
- 280-0021
- Codice costruttore:
- SQJ740EP-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | 2,36 € | 9,44 € |
| 60 - 96 | 2,173 € | 8,69 € |
| 100 - 236 | 1,938 € | 7,75 € |
| 240 - 996 | 1,893 € | 7,57 € |
| 1000 + | 1,85 € | 7,40 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 280-0021
- Codice costruttore:
- SQJ740EP-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 123A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | SQJ740EP | |
| Tipo di package | SO-8L | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 40 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 0V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | 100 percent Rg and UIS tested, RoHS, AEC-Q101 | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 123A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie SQJ740EP | ||
Tipo di package SO-8L | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 40 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 0V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni 100 percent Rg and UIS tested, RoHS, AEC-Q101 | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET per uso automobilistico Vishay è un MOSFET a canale N doppio e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.
MOSFET di potenza TrenchFET
Testato al 100% Rg e UIS
Certificazione AEC-Q101
Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)
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