MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 5 Ω Miglioramento, 200 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie BSS7728NH6327XTSA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4337
Codice costruttore:
BSS7728NH6327XTSA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

200mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SIPMOS

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

0.36W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.12mm

Lunghezza

3.04mm

Larghezza

1.4 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Questo MOSFET a piccolo segnale SIPMOS Infineon è la soluzione ideale per applicazioni automobilistiche e/o non automobilistiche in spazi ristretti. Possono essere presenti in quasi tutte le applicazioni, ad esempio protezione della batteria, ricarica della batteria, illuminazione a LED e così via.

È senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21

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