MOSFET Infineon, canale N 150 V, 20 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP200N15N3GXKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4412
Codice Distrelec:
304-31-967
Codice costruttore:
IPP200N15N3GXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

TO-220

Serie

OptiMOS 3

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

15.93mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.2mm

Altezza

4.4mm

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET Infineon OptiMOS 3 è ideale per la commutazione ad alta frequenza e la rettifica sincrona. È qualificato secondo JEDEC per l'applicazione di destinazione

È senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21

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