MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 7.9 mΩ Miglioramento, 45 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB45N06S4L08ATMA3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-9020
Codice costruttore:
IPB45N06S4L08ATMA3
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

45A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

OptiMOS-T2

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La gamma Infineon OptiMOS -T2 amplia le famiglie esistenti di OptiMOS -T e OptiMOS. Questi prodotti OptiMOS sono disponibili in contenitori ad alte prestazioni per affrontare le applicazioni più impegnative, offrendo la massima flessibilità in spazi limitati. I prodotti Infineon sono progettati per soddisfare e superare i requisiti di efficienza energetica e densità di potenza degli standard di regolazione della tensione di nuova generazione più rigorosi nelle applicazioni informatiche. Si tratta di contenitori robusti con qualità e affidabilità superiori.

Il prodotto è certificato AEC Q101

Testato al 100% con effetto valanga

Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.

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