MOSFET Infineon, canale N 75 V, 6.8 mΩ Miglioramento, 100 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP100N08S2L07AKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-9086
Codice costruttore:
IPP100N08S2L07AKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

182nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.57mm

Altezza

9.45mm

Lunghezza

10.36mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

La gamma Infineon offre un'ampia e completa gamma di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e IRFET forte. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Il prodotto è certificato AEC Q101

Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.

Testato al 100% con effetto valanga

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