MOSFET Infineon, canale Tipo N 500 V, 80 mΩ Miglioramento, 37 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPA60R080P7XKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-2477
Codice costruttore:
IPA60R080P7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

37A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Serie

CoolMOS CE

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

80mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

29W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.9V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Infineon 600V Cool MOS™ P7 è il successore della serie 600V Cool MOS™ P6. Continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore R onxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (Q G) della piattaforma di generazione Cool MOS™ 7th garantiscono la sua elevata efficienza. Combina i vantaggi di un MOSFET SJ a commutazione rapida con un'eccellente facilità d'uso, ad esempio una tendenza al ringing molto bassa, un'eccellente robustezza del diodo del corpo contro la commutazione difficile e un'eccellente capacità ESD. Inoltre, le perdite di conduzione e commutazione estremamente basse rendono l'applicazione di commutazione sette più efficiente, più compatta e molto più fredda.

Adatto per la commutazione hard e soft (PFC e LLC) grazie a un'eccellente robustezza di commutazione

Eccellente robustezza ESD >2kV(HBM) per tutti i prodotti

Significativa riduzione delle perdite di conduzione e commutazione

Ampia gamma di contenitori a foro passante e per montaggio superficiale

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