MOSFET Infineon, canale N 600 V, 80 mΩ Miglioramento, 37 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP60R080P7XKSA1
- Codice RS:
- 217-2559
- Codice costruttore:
- IPP60R080P7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
26,16 €
(IVA esclusa)
31,92 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- 120 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 5,232 € | 26,16 € |
| 10 - 20 | 4,704 € | 23,52 € |
| 25 - 45 | 4,39 € | 21,95 € |
| 50 - 120 | 4,082 € | 20,41 € |
| 125 + | 3,768 € | 18,84 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 217-2559
- Codice costruttore:
- IPP60R080P7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 37A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 80mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 900mV | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 51nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 129W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 29.95mm | |
| Lunghezza | 10.36mm | |
| Larghezza | 4.57mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 37A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 80mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 900mV | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 51nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 129W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 29.95mm | ||
Lunghezza 10.36mm | ||
Larghezza 4.57mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET CoolMOS Infineon serie P7, tensione massima della sorgente di drenaggio di 600 V, corrente di drenaggio continua massima di 37 A - IPP60R080P7XKSA1
Caratteristiche e vantaggi:
• La corrente di drenaggio continua di 37 A supporta la gestione del carico ad alta potenza
• L'Rds(on) di 80 mΩ riduce le perdite di conduzione per una maggiore efficienza
• La dissipazione di potenza massima di 129 W consente una gestione della potenza sostenuta
• La carica di gate tipica di 51 nC supporta un comportamento di commutazione prevedibile
• Il valore nominale del gate di 20 V tollera robuste tensioni di azionamento del gate
Applicazioni
• Ideale per le fasi di azionamento del motore che richiedono corrente elevata
• Utilizzato con circuiti stampati a foro passante nei sistemi di controllo industriali
• Può essere utilizzato per progetti di conversione di potenza in modalità commutata
• Adatto per chi necessita di un'ampia resistenza alle temperature
In quali condizioni termiche estreme può operare questo dispositivo?
Quale contenitore e metodo di montaggio utilizza?
Qual è il tipo di canale del dispositivo e la modalità operativa?
Che cos'è la tensione diretta del dispositivo e come influisce sui circuiti?
Link consigliati
- MOSFET Infineon 80 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 80 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 80 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 80 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPB60R080P7ATMA1
- MOSFET Infineon 80 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IPA60R080P7XKSA1
- MOSFET Infineon 80 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 80 mΩ Miglioramento 4 Pin Foro passante IPZA60R080P7XKSA1
- MOSFET Infineon 600 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
