MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 80 mΩ Miglioramento, 37 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB60R080P7ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2504
Codice costruttore:
IPB60R080P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

37A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

CoolMOS

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

80mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.9V

Dissipazione di potenza massima Pd

129W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

9.45 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.31mm

Altezza

4.57mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon P7 CoolMOS™ 600V supergiunzione (SJ) è il successore della serie 600V CoolMOS™ P6 Infineon. Continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore R onxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (Q G) della piattaforma di generazione CoolMOS™ 7th garantiscono la sua elevata efficienza.

Il modello 600V P7 consente un'eccellente FOM R DS(on)XE oss DS(on)XQ G

Robustezza ESD di ≥ 2kV (HBM classe 2)

Resistore gate integrato R G

Diodo dal corpo robusto

Ampia gamma di contenitori a foro passante e per montaggio superficiale

Sono disponibili parti di grado standard e industriale

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