MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 80 mΩ Miglioramento, 37 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB60R080P7ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2504
Codice costruttore:
IPB60R080P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

37A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-263

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

80mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.9V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

129W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.57mm

Larghezza

9.45mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.31mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon P7 CoolMOS™ 600V supergiunzione (SJ) è il successore della serie 600V CoolMOS™ P6 Infineon. Continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore R onxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (Q G) della piattaforma di generazione CoolMOS™ 7th garantiscono la sua elevata efficienza.

Il modello 600V P7 consente un'eccellente FOM R DS(on)XE oss DS(on)XQ G

Robustezza ESD di ≥ 2kV (HBM classe 2)

Resistore gate integrato R G

Diodo dal corpo robusto

Ampia gamma di contenitori a foro passante e per montaggio superficiale

Sono disponibili parti di grado standard e industriale

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