MOSFET Infineon, canale N 600 V, 80 mΩ Miglioramento, 40 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 215-2567
- Codice costruttore:
- IPW60R080P7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-2567
- Codice costruttore:
- IPW60R080P7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 40A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 80mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 129W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 900mV | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 51nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 40A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 80mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 129W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 900mV | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 51nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Infineon 600V Cool MOS™ P7 è il successore della serie 600V Cool MOS™ P6. Continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore R onxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (Q G) della piattaforma di generazione Cool MOS™ 7th garantiscono la sua elevata efficienza. Combina i vantaggi di un MOSFET SJ a commutazione rapida con un'eccellente facilità d'uso, ad esempio una tendenza al ringing molto bassa, un'eccellente robustezza del diodo del corpo contro la commutazione difficile e un'eccellente capacità ESD. Inoltre, le perdite di conduzione e commutazione estremamente basse rendono l'applicazione di commutazione sette più efficiente, più compatta e molto più fredda.
Adatto per la commutazione hard e soft (PFC e LLC) grazie a un'eccellente robustezza di commutazione
Eccellente robustezza ESD >2kV(HBM) per tutti i prodotti
Significativa riduzione delle perdite di conduzione e commutazione
Ampia gamma di contenitori a foro passante e per montaggio superficiale
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