MOSFET Infineon, canale N, 0,022 Ω, 69 A, TO-247, Su foro
- Codice RS:
- 215-2573
- Codice costruttore:
- IRF250P225
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 215-2573
- Codice costruttore:
- IRF250P225
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 69 A | |
| Tensione massima drain source | 250 V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 0,022 Ω | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 4V | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 69 A | ||
Tensione massima drain source 250 V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie StrongIRFET | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 0,022 Ω | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 4V | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Materiale del transistor Si | ||
Infineon strong IRFET™ ha una tensione di sorgente di drain massima di 250V con corrente di drain continua massima di 69A in un contenitore TO-247AC. Ha applicazioni come UPS e applicazioni di inverter, topologie half-bridge e full-bridge e alimentatori in modalità risonante.
Capacità completamente caratterizzata e SOA a effetto valanga
Diodo incorporato potenziato con capacità dv/dt e di/dt
Diodo incorporato potenziato con capacità dv/dt e di/dt
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