MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 190 mΩ Miglioramento, 8.7 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRFR120ZTRPBF

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 50 unità*

17,90 €

(IVA esclusa)

21,85 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 8150 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
50 +0,358 €17,90 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-2597
Codice costruttore:
IRFR120ZTRPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

8.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

35W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET di potenza Infineon HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono una temperatura d'esercizio della giunzione di 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliore valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Avanzata tecnologia di processo

Resistenza ultra bassa in stato attivo

Commutazione rapida

Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax

Senza piombo

Link consigliati