MOSFET Infineon, canale N, 0,023 Ω, 48 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-2605
Codice costruttore:
IRFZ44ESTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

48 A

Tensione massima drain source

60 V

Serie

HEXFET

Tipo di package

D2PAK (TO-263)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

0,023 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

La serie Infineon HEXFET di quinta generazione di International Rectifier utilizza Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per l'area del silicio. Questi vantaggi, combinati con l'elevata velocità di commutazione e il design robusto del dispositivo per cui il MOSFET di potenza HEXFET è noto, forniscono un dispositivo di livello sufficiente, forniscono al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni. Il modello D2pack è un contenitore di potenza per montaggio superficiale in grado di alloggiare matrici di dimensioni fino A HEX-4. Fornisce la massima capacità di potenza e la più bassa resistenza all'accensione possibile in qualsiasi contenitore a montaggio superficiale esistente. Il modello D2pack è adatto per applicazioni a corrente elevata grazie alla sua bassa resistenza di collegamento interna e può dissipare fino a 2 W in un'applicazione a montaggio superficiale tipica.

Avanzata tecnologia di processo
Classificazione completa a valanga
Commutazione rapida

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