MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 27 mΩ Miglioramento, 42 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
215-2606
Codice costruttore:
IRLR2905TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

42A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

27mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

48nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

EIA-481, EIA-541

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET di potenza Infineon HEXFET ha una tensione di sorgente di drain massima di 55V. Si tratta di un singolo MOSFET di potenza HEXFET a canale N in un contenitore tipo D-Pak. La serie Infineon HEXFET di quinta generazione di International Rectifier utilizza Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per l'area del silicio. Questi vantaggi, combinati con l'elevata velocità di commutazione e il design robusto del dispositivo per cui il MOSFET di potenza HEXFET è noto, forniscono un dispositivo di livello sufficiente, forniscono al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni. La confezione D è progettata per il montaggio superficiale utilizzando la tecnica di saldatura a fase vapore, a infrarossi o a onda.

Avanzata tecnologia di processo

Resistenza ultra bassa in stato attivo

Senza piombo

Classificazione completa a valanga

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