MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 40 mΩ Miglioramento, 42 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
913-4802
Codice costruttore:
IRLR2905TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

42A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

48nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.39mm

Larghezza

6.22 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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