MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 5.5 mΩ Miglioramento, 42 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
214-9128
Codice costruttore:
IRFR4104TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

42A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

59nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

140W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Altezza

6.22mm

Larghezza

2.39 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon HEXFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono una temperatura d'esercizio della giunzione di 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliore valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Viene fornito con Advanced Process Technology

Il MOSFET è senza piombo

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