MOSFET Infineon, canale N 40 V, 5.5 mΩ Miglioramento, 42 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRFR4104TRLPBF
- Codice RS:
- 214-9129
- Codice costruttore:
- IRFR4104TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-9129
- Codice costruttore:
- IRFR4104TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 42A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 59nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 140W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 2.39mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Altezza | 6.22mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 42A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 59nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 140W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 2.39mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Altezza 6.22mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza Infineon HEXFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono una temperatura d'esercizio della giunzione di 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliore valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.
Viene fornito con Advanced Process Technology
Il MOSFET è senza piombo
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