MOSFET Taiwan Semiconductor, canale Tipo N 60 V, 28 mΩ Miglioramento, 28 A, 8 Pin, PDFN56, Superficie TSM280NB06LCR

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Opzioni di confezione:
Codice RS:
216-9709
Codice costruttore:
TSM280NB06LCR
Costruttore:
Taiwan Semiconductor
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Taiwan Semiconductor

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

28A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PDFN56

Serie

TSM025

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

28mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

56W

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC

Lunghezza

6.1mm

Larghezza

5.1 mm

Standard automobilistico

No

I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di "transistor a effetto di campo". I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite conduttive Bassa carica di gate per una rapida commutazione di potenza Testato al 100% con UIS e Rg

Link consigliati