MOSFET Taiwan Semiconductor, canale Tipo N 60 V, 30 mΩ Miglioramento, 25 A, 8 Pin, PDFN56, Superficie

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Codice RS:
216-9712
Codice costruttore:
TSM300NB06DCR
Costruttore:
Taiwan Semiconductor
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Marchio

Taiwan Semiconductor

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

TSM025

Tipo di package

PDFN56

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

30mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

40W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.15mm

Lunghezza

6.2mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS

Larghezza

5.2 mm

Standard automobilistico

No

I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di "transistor a effetto di campo". I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

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