MOSFET Taiwan Semiconductor, canale Tipo N 60 V, 30 mΩ Miglioramento, 25 A, 8 Pin, PDFN56, Superficie TSM300NB06DCR

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
216-9714
Codice costruttore:
TSM300NB06DCR
Costruttore:
Taiwan Semiconductor
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Marchio

Taiwan Semiconductor

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

TSM025

Tipo di package

PDFN56

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

30mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

40W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.2mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS

Altezza

1.15mm

Larghezza

5.2 mm

Standard automobilistico

No

I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di "transistor a effetto di campo". I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite conduttive Bassa carica di gate per una rapida commutazione di potenza Testato al 100% con UIS e Rg

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