MOSFET Taiwan Semiconductor, canale Tipo N 60 V, 4.8 mΩ Miglioramento, 107 A, 8 Pin, PDFN56, Superficie

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Codice RS:
216-9660
Codice costruttore:
TSM048NB06LCR
Costruttore:
Taiwan Semiconductor
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Marchio

Taiwan Semiconductor

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

107A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

TSM025

Tipo di package

PDFN56

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

136W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS 2011/65/EU and WEEE 2002/96/EC

Standard automobilistico

No

I transistor MOSFET di potenza a canale N singolo Taiwan Semiconductor sono sinonimo di "transistor a effetto di campo". I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

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