MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 650 mΩ P, 9.9 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 217-2496
- Codice costruttore:
- IPAN60R650CEXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 tubo da 50 unità*
54,80 €
(IVA esclusa)
66,85 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 950 unità in spedizione dal 01 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,096 € | 54,80 € |
| 100 - 200 | 0,833 € | 41,65 € |
| 250 - 450 | 0,778 € | 38,90 € |
| 500 - 1200 | 0,723 € | 36,15 € |
| 1250 + | 0,669 € | 33,45 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 217-2496
- Codice costruttore:
- IPAN60R650CEXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9.9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 650mΩ | |
| Modalità canale | P | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 82W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 20.5nC | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 16.1mm | |
| Larghezza | 4.8 mm | |
| Altezza | 29.87mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9.9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 650mΩ | ||
Modalità canale P | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 82W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 20.5nC | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 16.1mm | ||
Larghezza 4.8 mm | ||
Altezza 29.87mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Infineon CoolMOS™ CE è adatto per applicazioni di commutazione hard e soft e come moderna supergiunzione, offre basse perdite di conduzione e commutazione migliorando l'efficienza e riducendo infine il consumo energetico. I modelli CoolMOS™ CE 600V, 650V e 700V combinano R DS(on) e contenitore ottimali e sono adatti per caricabatterie a bassa potenza per telefoni cellulari e tablet.
Margini ridotti tra R DS(on) tipico e massimo, con minore energia immagazzinata Capacità di uscita (e oss)
Buona robustezza del diodo del corpo e carica di recupero inverso ridotta (q rr)
R g ottimizzata integrata
