MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 600 mΩ Miglioramento, 16 A, 3 Pin, TO-220, Superficie IPA60R600P7XKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
219-5983
Codice costruttore:
IPA60R600P7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

16A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolMOS P7

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

600mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

I MOSFET a super giunzione ottimizzati Infineon CoolMO 600V P7 uniscono l'elevata efficienza energetica con facilità d'uso ed è il successore della serie CoolMOS 600V P6. Continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore RonxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (QG) della piattaforma di generazione CoolMOS 7th ne assicurano l'elevata efficienza.

Il MOSFET è adatto per topologie di commutazione sia difficili che risonanti, come PFC e LLC

Eccellente robustezza durante la commutazione difficile del diodo del corpo visto nella topologia LLC

Adatto per un'ampia varietà di applicazioni finali e potenze di uscita

Parti disponibili adatte per applicazioni industriali e di consumo

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