MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 650 mΩ P, 9.9 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPAN60R650CEXKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2497
Codice costruttore:
IPAN60R650CEXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

9.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

CoolMOS

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

650mΩ

Modalità canale

P

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

82W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20.5nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.8 mm

Lunghezza

16.1mm

Altezza

29.87mm

Standard automobilistico

No

Infineon CoolMOS™ CE è adatto per applicazioni di commutazione hard e soft e come moderna supergiunzione, offre basse perdite di conduzione e commutazione migliorando l'efficienza e riducendo infine il consumo energetico. I modelli CoolMOS™ CE 600V, 650V e 700V combinano R DS(on) e contenitore ottimali e sono adatti per caricabatterie a bassa potenza per telefoni cellulari e tablet.

Margini ridotti tra R DS(on) tipico e massimo, con minore energia immagazzinata Capacità di uscita (e oss)

Buona robustezza del diodo del corpo e carica di recupero inverso ridotta (q rr)

R g ottimizzata integrata

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