MOSFET Infineon, canale N 100 V, 11.3 mΩ Miglioramento, 70 A, 3 Pin, TO-263, Foro passante IPB70N10S312ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2508
Codice costruttore:
IPB70N10S312ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

70A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

CoolMOS

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

129W

Tensione diretta Vf

900mV

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.31mm

Altezza

4.57mm

Larghezza

9.45mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon 100V, N-CH, 11,3 MΩ max, per uso automobilistico, D2PAK, OptiMOS™-T.

Canale N - modalità potenziata

Qualifica per uso automobilistico AEC Q101

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Prodotto non inquinante (conformità RoHS)

Testato al 100% con effetto valanga

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