MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 11.3 mΩ Miglioramento, 70 A, 3 Pin, TO-263, Foro passante IPB70N10S312ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2508
Codice costruttore:
IPB70N10S312ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

70A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

129W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.9V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

9.45 mm

Lunghezza

10.31mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.57mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon 100V, N-CH, 11,3 MΩ max, per uso automobilistico, D2PAK, OptiMOS™-T.

Canale N - modalità potenziata

Qualifica per uso automobilistico AEC Q101

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Prodotto non inquinante (conformità RoHS)

Testato al 100% con effetto valanga

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