MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 3.7 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-263, Foro passante

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

1310,00 €

(IVA esclusa)

1600,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 6000 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1000 +1,31 €1.310,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
217-2509
Codice costruttore:
IPB80N04S2H4ATMA2
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-263

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Dissipazione di potenza massima Pd

129W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.31mm

Altezza

4.57mm

Larghezza

9.45 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon 40V, N-CH, 3,7 MΩ max, MOSFET per uso automobilistico, D2PAK, Optimo.

Canale N - modalità potenziata

Qualifica per uso automobilistico AEC Q101

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Rds(on) ultra bassa

Testato al 100% con effetto valanga

Prodotto non inquinante (conformità RoHS)

Link consigliati