MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 3.7 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-263, Foro passante

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Codice RS:
217-2509
Codice costruttore:
IPB80N04S2H4ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-263

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

129W

Tensione diretta Vf

0.9V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

9.45mm

Lunghezza

10.31mm

Altezza

4.57mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon 40V, N-CH, 3,7 MΩ max, MOSFET per uso automobilistico, D2PAK, Optimo.

Canale N - modalità potenziata

Qualifica per uso automobilistico AEC Q101

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Rds(on) ultra bassa

Testato al 100% con effetto valanga

Prodotto non inquinante (conformità RoHS)

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