MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 3.7 mΩ Miglioramento, 90 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB034N06L3GATMA1

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

9,47 €

(IVA esclusa)

11,555 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 3910 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 +1,894 €9,47 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
897-7419
Codice costruttore:
IPB034N06L3GATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

90A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

59nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

9.45 mm

Lunghezza

10.31mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.57mm

Distrelec Product Id

304-44-435

Standard automobilistico

No

Non applicabile

MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, da 60 a 80 V


I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.

MOSFET a commutazione rapida per alimentatori switching

Tecnologia ottimizzata per i convertitori CC/CC

Certificato in conformità alla norma JEDEC1) per le applicazioni di destinazione

Canale N, livello logico

Prodotto con un'eccellente carica di gate R DS(on) (FOM)

Resistenza R DS(on) molto bassa

Placcatura senza piombo

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Link consigliati