MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 3.7 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-263, Foro passante IPB80N04S2H4ATMA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2510
Codice costruttore:
IPB80N04S2H4ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-263

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.9V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

129W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

51nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

9.45 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.31mm

Altezza

4.57mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon 40V, N-CH, 3,7 MΩ max, MOSFET per uso automobilistico, D2PAK, Optimo.

Canale N - modalità potenziata

Qualifica per uso automobilistico AEC Q101

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Rds(on) ultra bassa

Testato al 100% con effetto valanga

Prodotto non inquinante (conformità RoHS)

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