MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 1.5 Ω Miglioramento, 5 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

475,00 €

(IVA esclusa)

575,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 2500 unità in spedizione dal 19 marzo 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 - 25000,19 €475,00 €
5000 +0,181 €452,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
217-2520
Codice costruttore:
IPD60R1K5CEAUMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.4nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

49W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.22 mm

Altezza

2.41mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Infineon CoolMOS™ CE è adatto per applicazioni di commutazione hard e soft e come moderna supergiunzione, offre basse perdite di conduzione e commutazione migliorando l'efficienza e riducendo infine il consumo energetico. I modelli CoolMOS™ CE 600V, 650V e 700V combinano R DS(on) e contenitore ottimali e sono adatti per caricabatterie a bassa potenza per telefoni cellulari e tablet.

Margini stretti tra R DS(on) tipico e massimo

Energia ridotta immagazzinata nella capacità di uscita (e oss)

Buona robustezza del diodo del corpo e carica di recupero inverso ridotta (q rr)

R g ottimizzata integrata

Link consigliati