MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 400 mΩ Miglioramento, 14.7 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD60R400CEAUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2526
Codice costruttore:
IPD60R400CEAUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

14.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

400mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.9V

Dissipazione di potenza massima Pd

41W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.4nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.22 mm

Altezza

2.41mm

Standard automobilistico

No

Infineon CoolMOS™ CE è adatto per applicazioni di commutazione hard e soft e come moderna supergiunzione, offre basse perdite di conduzione e commutazione migliorando l'efficienza e riducendo infine il consumo energetico. I modelli CoolMOS™ CE 600V, 650V e 700V combinano R DS(on) e contenitore ottimali e sono adatti per caricabatterie a bassa potenza per telefoni cellulari e tablet.

Margini stretti tra R DS(on) tipico e massimo

Energia ridotta immagazzinata nella capacità di uscita (e oss)

Buona robustezza del diodo del corpo e carica di recupero inverso ridotta (q rr)

R g ottimizzata integrata

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