MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 1.5 Ω Miglioramento, 3 A, 5 Pin, ThinPAK 5x6, Superficie

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Codice RS:
217-2540
Codice costruttore:
IPL60R1K5C6SATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

ThinPAK 5x6

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

111W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

8.8 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

8.8mm

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

Infineon ThinPAK™ 5x6 è un nuovo contenitore SMD senza terminali progettato appositamente per MOSFET ad alta tensione. Questo nuovo contenitore ha un ingombro molto ridotto di 5x6mm 2 e un profilo molto basso con un'altezza di soli 1mm. Questo contenitore di dimensioni notevolmente ridotte in combinazione con le sue basse induttanze parassite di riferimento può essere utilizzato come un modo nuovo ed efficace per ridurre le dimensioni della soluzione di sistema in progetti con attivazione a densità di potenza. Il contenitore ThinPAK 5x6 è caratterizzato da un'induttanza di sorgente molto bassa di 1,6 NH, nonché da prestazioni termiche simili a quelle dei DPAK. Il contenitore consente quindi una commutazione più rapida e quindi più efficiente dei MOSFET di potenza ed è più facile da gestire in termini di comportamento di commutazione ed EMI.

Ingombro ridotto (5x6mm²)

Profilo basso (1mm)

Bassa induttanza parassita

Conformità RoHS

Composto sagomato senza alogeni

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