MOSFET Infineon, canale N, 1,5 Ohm, 3 A, ThinPAK 5 x 6, Montaggio superficiale

Infineon ThinPAK™ 5x6 è un nuovo contenitore SMD senza terminali progettato appositamente per MOSFET ad alta tensione. Questo nuovo contenitore ha un ingombro molto ridotto di 5x6mm 2 e un profilo molto basso con un'altezza di soli 1mm. Questo contenitore di dimensioni notevolmente ridotte in combinazione con le sue basse induttanze parassite di riferimento può essere utilizzato come un modo nuovo ed efficace per ridurre le dimensioni della soluzione di sistema in progetti con attivazione a densità di potenza. Il contenitore ThinPAK 5x6 è caratterizzato da un'induttanza di sorgente molto bassa di 1,6 NH, nonché da prestazioni termiche simili a quelle dei DPAK. Il contenitore consente quindi una commutazione più rapida e quindi più efficiente dei MOSFET di potenza ed è più facile da gestire in termini di comportamento di commutazione ed EMI.

Ingombro ridotto (5x6mm²)
Profilo basso (1mm)
Bassa induttanza parassita
Conformità RoHS
Composto sagomato senza alogeni