MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 40 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPP60R040C7XKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2557
Codice costruttore:
IPP60R040C7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-220

Serie

CoolMOS C7

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

107nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

227W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.36mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.57 mm

Altezza

29.95mm

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super-giunzione (SJ) CoolMOS™ C7 600V offre una riduzione ∼50% delle perdite di spegnimento (e oss ) rispetto al CP CoolMOS™, offrendo un eccezionale livello di prestazioni in PFC, TTF e altre topologie a commutazione rigida. Il modello IPL60R185C7 è anche un abbinamento perfetto per caricabatterie ad alta densità di potenza. L'efficienza e le applicazioni TCO (costo totale di proprietà), come i centri iperdati e i raddrizzatori di telecomunicazione ad alta efficienza (>96%), traggono vantaggio dalla maggiore efficienza offerta da CoolMOS™ C7. È possibile ottenere guadagni da 0,3% a 0,7% e 0,1% di PFC in topologie LLC. Nel caso di un alimentatore per server da 2,5 kW, ad esempio, l'utilizzo di MOSFET CoolMOS™ C7 SJ 600V in un contenitore TO-247 4pin può comportare una riduzione dei costi energetici del ∼10% per la perdita di energia dell'alimentatore.

Riduzione dei parametri di perdita di commutazione come Q G, C oss, e oss

Dati di merito migliori della categoria Q G*R DS(on)

Maggiore frequenza di commutazione

Migliore valore R (on)*A in tutto il mondo

Diodo dal corpo robusto

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