Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale N 650 V, 150 mΩ Miglioramento, 22.4 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Codice RS:: 217-2562
Codice costruttore:: IPP65R150CFDAAKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 650 V, 150 mΩ Miglioramento, 22.4 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

155,10 €

(IVA esclusa)

189,20 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Ultimi pezzi su RS

800 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.

Unità	Per unità	Per Tubo*
50 +	3,102 €	155,10 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 217-2562
Codice costruttore:: IPP65R150CFDAAKSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	22.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	TO-220
	Serie	CoolMOS CFDA
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	150mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	900mV
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	15nC
	Minima temperatura operativa	-40°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	195.3W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	41.42mm
	Lunghezza	16.13mm
	Larghezza	5.21mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 22.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package TO-220
	Serie CoolMOS CFDA
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 150mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 900mV
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 15nC
	Minima temperatura operativa -40°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 195.3W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 41.42mm
	Lunghezza 16.13mm
	Larghezza 5.21mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - IPP65R150CFDAAKSA1

Il MOSFET Infineon CoolMOS™ CFDA SuperjJunction (SJ) 650V è la seconda generazione di MOSFET di potenza CoolMOS™ qualificati per uso automobilistico di seconda generazione. In aggiunta ai ben noti attributi di alta qualità e affidabilità richiesti dall'industria automobilistica, la serie 650V CoolMOS™ CFDA fornisce anche un diodo integrato a corpo rapido.

La prima tecnologia 650V qualificata per il settore automobilistico con diodo integrato a corpo rapido sul mercato

Overshoot di tensione limitato durante la commutazione hard - di/dt autolimitante e dv/dt

Basso valore di carica di gate Q g.

Basso Q rr a commutazione ripetitiva su diodo corpo & Q oss. Basso

Tempi di accensione e di attivazione ridotti

Conforme allo standard AEC Q101

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.