MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 150 mΩ Miglioramento, 22.4 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
217-2562
Codice costruttore:
IPP65R150CFDAAKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

22.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolMOS CFDA

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

150mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Dissipazione di potenza massima Pd

195.3W

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

16.13mm

Larghezza

5.21 mm

Altezza

41.42mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET Infineon CoolMOS™ CFDA SuperjJunction (SJ) 650V è la seconda generazione di MOSFET di potenza CoolMOS™ qualificati per uso automobilistico di seconda generazione. In aggiunta ai ben noti attributi di alta qualità e affidabilità richiesti dall'industria automobilistica, la serie 650V CoolMOS™ CFDA fornisce anche un diodo integrato a corpo rapido.

La prima tecnologia 650V qualificata per il settore automobilistico con diodo integrato a corpo rapido sul mercato

Overshoot di tensione limitato durante la commutazione hard - di/dt autolimitante e dv/dt

Basso valore di carica di gate Q g.

Basso Q rr a commutazione ripetitiva su diodo corpo & Q oss. Basso

Tempi di accensione e di attivazione ridotti

Conforme allo standard AEC Q101

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