MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 3.4 Ω Miglioramento, 2.6 A, 3 Pin, TO-251, Foro passante IPS60R3K4CEAKMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2577
Codice costruttore:
IPS60R3K4CEAKMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-251

Serie

CoolMOS CE

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.4Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

38W

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.7nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

2.4 mm

Altezza

9.82mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Infineon CoolMOS™ CE è adatto per applicazioni di commutazione hard e soft e come moderna supergiunzione, offre basse perdite di conduzione e commutazione migliorando l'efficienza e riducendo infine il consumo energetico. I modelli CoolMOS™ CE 600V, 650V e 700V combinano R DS(on) e contenitore ottimali e sono adatti per caricabatterie a bassa potenza per telefoni cellulari e tablet.

Margini stretti tra R DS(on) tipico e massimo

Energia ridotta immagazzinata nella capacità di uscita (e oss)

Buona robustezza del diodo del corpo e carica di recupero inverso ridotta (q rr)

R g ottimizzata integrata

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