MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 1.3 Ω, 4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SPD04N80C3ATMA1
- Codice RS:
- 217-2644
- Codice costruttore:
- SPD04N80C3ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
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- Codice RS:
- 217-2644
- Codice costruttore:
- SPD04N80C3ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.3Ω | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 31nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 63W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC, RoHS | |
| Larghezza | 2.41 mm | |
| Altezza | 6.22mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.3Ω | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 31nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 63W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni JEDEC, RoHS | ||
Larghezza 2.41 mm | ||
Altezza 6.22mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Infineon 800V CoolMOS™ C3 è la terza serie di CoolMOS™ di Infineon con un ingresso sul mercato nel 2001. C3 è il "cavallo di battaglia" del portafoglio. .
Bassa resistenza specifica in stato attivo (RDS(ON)*A)
Immagazzinamento di energia molto basso nella capacità di uscita (Eoss) @400V
Bassa carica di gate (Qg)
Qualità CoolMOS™ collaudata sul campo
La tecnologia CoolMOS™ è impiegata da Infineon fin dal 1998
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