MOSFET Infineon, canale Tipo N 500 V, 1.3 Ω, 6 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
218-3115
Codice costruttore:
IRFR825TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.3Ω

Dissipazione di potenza massima Pd

119W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

4.83 mm

Altezza

9.65mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N singolo serie Infineon HEXFET integrato con contenitore di tipo DPAK (TO-252). Questo MOSFET è utilizzato principalmente in UPS, SMPS ecc.

La minore carica di gate semplifica i requisiti di azionamento.

La soglia di tensione di gate superiore offre una maggiore immunità ai disturbi.

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