MOSFET Infineon, canale N 40 V, 2.6 mΩ N, 119 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

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Codice RS:
218-2973
Codice costruttore:
BSC026N04LSATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

119A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TDSON

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.6mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45nC

Dissipazione di potenza massima Pd

63W

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.1mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.2mm

Lunghezza

5.35mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 40 V, corrente di drenaggio continua massima di 119 A - BSC026N04LSATMA1


Questo MOSFET è un transistor a canale N ad alta corrente progettato per la commutazione di potenza in sistemi a montaggio superficiale, fornendo una conduzione controllata per la conversione c.c.-c.c. e attività di gestione dell'alimentazione simili in ampie condizioni operative.

Caratteristiche e vantaggi:


• La tensione massima drain-source supporta il funzionamento del sistema a 40 V
• La resistenza di accensione molto bassa riduce le perdite di conduzione a 2,6 mΩ
• La corrente di drenaggio nominale continua consente di gestire un carico sostenuto di 119 A
• La carica gate tipica di 45 nC riduce al minimo l'energia di commutazione e il ritardo
• La capacità di dissipazione della potenza consente una gestione termica di 63 W durante il funzionamento
• Resistenza alla sorgente gate fino a 20 V per un margine di azionamento robusto

Applicazioni


• Adatto per convertitori CC-CC ad alta corrente negli alimentatori
• Ideale per le fasi di commutazione nei moduli di potenza automobilistici
• Utilizzato per semi-ponti motore-driver che richiedono una bassa perdita di conduzione
• Può essere utilizzato per la rettifica sincrona ad alta efficienza
• Adatto per gruppi di alimentazione compatti a montaggio superficiale

In quale intervallo di temperatura può funzionare in modo affidabile?


È specificato per funzionare tra -55 °C e 150 °C per margini termici estesi.

Quale contenitore e metodo di montaggio vengono utilizzati per i progetti compatti?


È fornito in un contenitore TDSON a 8 pin progettato per il montaggio superficiale.

In che modo la sua tensione diretta influisce sulla progettazione dello stadio di potenza?


La tensione diretta di 1 V deve essere presa in considerazione durante il calcolo delle perdite di conduzione e la selezione dei livelli di azionamento del gate.

Quale canale e modalità di conduzione utilizza il dispositivo?


Utilizza un canale di tipo N che funziona in modalità di potenziamento per un comportamento di commutazione MOSFET standard.

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