MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 35 mΩ N, 35 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

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Codice RS:
218-2978
Codice costruttore:
BSC350N20NSFDATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

35A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TDSON

Serie

OptiMOS 3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

35mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.2mm

Larghezza

6.1 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.35mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N serie Infineon OptiMOS™. Questi dispositivi sono la scelta perfetta per le applicazioni di commutazione difficili come le telecomunicazioni, gli alimentatori industriali, gli amplificatori audio di classe D, il controllo di motori e inverter c.c.-c.a. È ideale per la commutazione ad alta frequenza e la rettifica sincrona.

Canale N, livello normale

RDS(ON) resistenza molto bassa in stato attivo

Placcatura senza piombo

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