MOSFET Infineon, canale Tipo N 25 V, 0.45 mΩ, 479 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC004NE2LS5ATMA1

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

3860,00 €

(IVA esclusa)

4710,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 29 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
5000 +0,772 €3.860,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
236-3639
Codice costruttore:
BSC004NE2LS5ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

479A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

TDSON

Serie

OptiMOS™

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.45mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

135nC

Dissipazione di potenza massima Pd

188W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.35 mm

Altezza

1.1mm

Lunghezza

5.49mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon OptiMOS offre soluzioni di benchmark che consentono la massima densità di potenza ed efficienza energetica, sia in standby che a funzionamento completo. Offre una resistenza in stato attivo drain source di 0,45 m Ohm.

Massima efficienza

Massima densità di potenza in contenitore SuperSO8

Riduzione dei costi complessivi del sistema

Conformità RoHS

Senza alogeni

Link consigliati