MOSFET Infineon, canale Tipo N 25 V, 0.45 mΩ, 479 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC004NE2LS5ATMA1

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Codice RS:
236-3639
Codice costruttore:
BSC004NE2LS5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

479A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

TDSON

Serie

OptiMOS™

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.45mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

188W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

135nC

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5.49mm

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon OptiMOS offre soluzioni di benchmark che consentono la massima densità di potenza ed efficienza energetica, sia in standby che a funzionamento completo. Offre una resistenza in stato attivo drain source di 0,45 m Ohm.

Massima efficienza

Massima densità di potenza in contenitore SuperSO8

Riduzione dei costi complessivi del sistema

Conformità RoHS

Senza alogeni

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