MOSFET Infineon, canale Tipo N 25 V, 0.45 mΩ, 479 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC004NE2LS5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
236-3641
Codice costruttore:
BSC004NE2LS5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

479A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

TDSON

Serie

OptiMOS™

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.45mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

188W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

135nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5.49mm

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.35 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon OptiMOS offre soluzioni di benchmark che consentono la massima densità di potenza ed efficienza energetica, sia in standby che a funzionamento completo. Offre una resistenza in stato attivo drain source di 0,45 m Ohm.

Massima efficienza

Massima densità di potenza in contenitore SuperSO8

Riduzione dei costi complessivi del sistema

Conformità RoHS

Senza alogeni

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