MOSFET Infineon, canale N 100 V, 1.9 mΩ Miglioramento, 260 A, 8 Pin, HSOF, Superficie IAUT260N10S5N019ATMA1

Codice RS:: 218-2990
Codice costruttore:: IAUT260N10S5N019ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 100 V, 1.9 mΩ Miglioramento, 260 A, 8 Pin, HSOF, Superficie IAUT260N10S5N019ATMA1

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Codice RS:: 218-2990
Codice costruttore:: IAUT260N10S5N019ATMA1
Costruttore:: Infineon

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	260A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	OptiMOS 5
	Tipo di package	HSOF
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.9mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	300W
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Temperatura massima di funzionamento	+175°C
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 260A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie OptiMOS 5
	Tipo di package HSOF
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.9mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 300W
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Temperatura massima di funzionamento +175°C
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - IAUT260N10S5N019ATMA1

MOSFET Infineon OptiMOS serie 5, tensione sorgente di drenaggio 100 V, corrente di drenaggio continua 260 A - IAUT260N10S5N019ATMA1

Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta corrente progettato per la commutazione di potenza a montaggio superficiale in ambienti difficili. Funziona in un ampio intervallo di temperature adatto a condizioni difficili ed è costruito per applicazioni che richiedono una gestione della corrente di drenaggio consistente, una resistenza di accensione stretta e una robusta tolleranza alla tensione di gate.

Caratteristiche e vantaggi:

• Rds(on) di 1,9 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La corrente di drenaggio continua di 260 A consente la gestione di correnti elevate
• Il valore nominale drain-source di 100 V supporta i sistemi a media tensione
• La tolleranza del gate di ±20 V consente tensioni di azionamento flessibili
• La dissipazione di potenza 300 W consente un carico termico sostanziale
• La tensione diretta di 1.3 V riduce al minimo le perdite di conduzione del diodo

Applicazioni

• Adatto per gruppi motopropulsori e azionamenti di motori per uso automobilistico
• Ideale per le fasi di conversione CC-CC ad alta corrente
• Utilizzato con sistemi di gestione delle batterie e di accumulo di energia
• Può essere utilizzato per la distribuzione di energia nei veicoli elettrificati
• Adatto per assemblaggi a montaggio superficiale che richiedono MOSFET di potenza compatti

Quali temperature estreme può sopportare durante il funzionamento?

È specificato per l'uso continuo da -55 °C a +175 °C.

Quale tipo di contenitore e tipo di montaggio sono disponibili per i gruppi compatti?

È fornito in un contenitore HSOF progettato per il montaggio superficiale con otto pin.

In che modo il dispositivo supporta le esigenze di qualificazione automobilistica?

Soddisfa i requisiti automobilistici AEC-Q101 per i componenti utilizzati negli ambienti dei veicoli.

Quale tipo di canale e modalità determinano il comportamento di commutazione?

Utilizza un dispositivo a canale N che funziona in modalità di potenziamento per una conduzione controllata.

Quali sono i limiti elettrici da rispettare per le tensioni di gate e di drenaggio?

La tensione gate-source deve rimanere entro ±20 V e la tensione drain-source entro 100 V.