MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 12 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD50N06S4L12ATMA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-3045
Codice costruttore:
IPD50N06S4L12ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Serie

OptiMOS-T2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

50W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

6.22 mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.41mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET per uso automobilistico a canale N serie Infineon OptiMOS™-T2. È dotato di contenitore DPAK (TO-252).

Canale N - modalità potenziata

Testato al 100% con effetto valanga

Temperatura d'esercizio: 175 °C

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