MOSFET Infineon, canale N 60 V, 9 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Codice RS:: 223-8517
Codice costruttore:: IPD50N06S409ATMA2
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 60 V, 9 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

822,50 €

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Codice RS:: 223-8517
Codice costruttore:: IPD50N06S409ATMA2
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	50A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Serie	OptiMOS
	Tipo di package	TO-252
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	9mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	17nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	950mV
	Dissipazione di potenza massima Pd	71W
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 50A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Serie OptiMOS
	Tipo di package TO-252
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 17nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 950mV
	Dissipazione di potenza massima Pd 71W
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Datasheet - IPD50N06S409ATMA2

MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 60 V, corrente di drenaggio continua massima di 50 A - IPD50N06S409ATMA2

Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N a montaggio superficiale progettato per controllare l'alimentazione in sistemi elettronici che richiedono una corrente elevata e una gestione di tensione moderata. Funziona in un ampio intervallo di temperature adatto per ambienti termici impegnativi ed è progettato per l'uso nei casi in cui è richiesta una commutazione e una gestione efficiente dell'alimentazione.

Caratteristiche e vantaggi:

• La bassa resistenza all'accensione riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento ad alta corrente
• L'elevata capacità di scarico continuo supporta correnti sostenute di 50 A
• Il valore nominale drain-source di 60 V consente le fasi di potenza a media tensione
• La dissipazione di potenza di 71 W consente la gestione di carichi termici elevati
• La carica di gate tipica di 17 nC consente transizioni di commutazione relativamente rapide
• La tolleranza del gate di 20 V consente di gestire tensioni di gate drive più elevate

Applicazioni

• Adatto per le fasi di commutazione del convertitore buck sincrono
• Ideale per le fasi di potenza del motore e del driver nei controller industriali
• Utilizzato con sistemi di gestione della batteria che richiedono una gestione ad alta corrente
• Può essere utilizzato per la conversione di potenza CC-CC nelle apparecchiature di telecomunicazione
• Adatto per moduli di distribuzione dell'alimentazione su assemblaggi a montaggio superficiale

Qual è la gamma di gate drive ammissibile del dispositivo?

Il gate può essere azionato fino a 20 V tra il gate e la sorgente senza superare il limite di tensione del gate.

In che modo l'intervallo termico influisce sull'implementazione in ambienti difficili?

Rimane operativo da -55 °C a 175 °C, pertanto può funzionare in applicazioni ad ampia temperatura in cui si verificano estremi termici.

Quale metodo di imballaggio e montaggio utilizza per l'assemblaggio?

Viene fornito in un contenitore TO-252 progettato per il posizionamento a montaggio superficiale su gruppi.

Quale caratteristica di conduzione indica l'efficienza durante lo stato attivo?

Una resistenza massima drain-source di 9 mΩ riduce al minimo la caduta di tensione e le perdite di conduzione ad alte correnti.

In che modo la tensione diretta influisce sulle fasi di potenza a bassa tensione?

una tensione diretta di 0,95 V limita l'ulteriore caduta di tensione sul dispositivo durante la conduzione, contribuendo all'efficienza.