MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 7.9 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Foro passante IPD079N06L3GATMA1

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Codice RS:
273-3003
Codice costruttore:
IPD079N06L3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

50nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

6.223mm

Larghezza

6.731 mm

Lunghezza

10.48mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon è una scelta perfetta per la rettifica sincrona in alimentatori in modalità switching come quelli presenti in server e computer desktop e caricabatterie per tablet. Inoltre, questi dispositivi possono essere utilizzati per un'ampia gamma di applicazioni industriali

Massima efficienza del sistema

Meno parallelizzazione richiesta

Maggiore densità di potenza

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