MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 7.9 mΩ Miglioramento, 71 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRFR7546TRPBF

Codice RS:: 130-0990
Codice costruttore:: IRFR7546TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 7.9 mΩ Miglioramento, 71 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRFR7546TRPBF

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

8,18 €

(IVA esclusa)

9,98 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

Più 6440 unità in spedizione dal 31 agosto 2026

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per confezione*
10 +	0,818 €	8,18 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 130-0990
Codice costruttore:: IRFR7546TRPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	71A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	TO-252
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	7.9mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	58nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	99W
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Lunghezza	6.73mm
	Altezza	6.22mm
	Larghezza	2.39mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 71A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package TO-252
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 7.9mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 58nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 99W
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Lunghezza 6.73mm
	Altezza 6.22mm
	Larghezza 2.39mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 71 A, dissipazione di potenza massima di 99 W - IRFR7546TRPBF

Questo MOSFET ad alte prestazioni è stato progettato per varie applicazioni che richiedono una gestione efficiente della potenza. Grazie a specifiche robuste, è adatto a scenari che richiedono durata e capacità di corrente elevata. È comunemente utilizzato in applicazioni di automazione ed elettriche, con caratteristiche di prestazioni eccezionali in diversi ambienti.

Caratteristiche e vantaggi

• Corrente di drenaggio continua massima di 71A

• Tensione massima di drenaggio-sorgente di 60 V

• La bassa resistenza di accensione aumenta l'efficienza dell'erogazione di potenza

• Pacchetto DPAK progettato per facilitare il montaggio in superficie

• L'elevata capacità di dissipazione di potenza migliora la gestione termica

• Il funzionamento in modalità Enhancement ottimizza le prestazioni di commutazione

Applicazioni

• Adatto per l'azionamento di motori a spazzole

• Utile nei progetti di circuiti alimentati a batteria

• Impiegato nelle topologie a mezzo ponte e a ponte intero

• Efficace nel raddrizzatore sincrono

• Applicato nei sistemi di conversione di potenza CC/CC e CA/CC

Qual è la specifica termica per il funzionamento continuo?

Supporta una dissipazione di potenza massima di 99 W, garantendo un funzionamento efficiente senza surriscaldamento in condizioni adeguate.

Come si comporta in ambienti ad alta temperatura?

Il dispositivo funziona in modo efficiente fino a una temperatura di giunzione massima di +175°C, rendendolo applicabile in situazioni difficili.

Quali sono le opzioni di montaggio disponibili per l'installazione?

Il design è a montaggio superficiale in un pacchetto DPAK, che consente un'integrazione semplice sui circuiti stampati e un risparmio di spazio.

Esiste una limitazione della tensione di gate?

Sì, la tensione gate-to-source non deve superare ±20V per garantire condizioni operative sicure.

Quali misure ne migliorano l'affidabilità durante il funzionamento?

La robustezza è migliorata dalle funzioni di protezione dalle valanghe e dalla dinamica dV/dt, che garantiscono prestazioni affidabili in varie condizioni.