MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 125 mΩ, 18 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 218-3066
- Codice costruttore:
- IPP60R125CFD7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,884 € | 94,20 € |
| 100 - 200 | 1,696 € | 84,80 € |
| 250 + | 1,602 € | 80,10 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 218-3066
- Codice costruttore:
- IPP60R125CFD7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 18A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | 600V CoolMOS CFD7 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 125mΩ | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 92W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Lunghezza | 10.36mm | |
| Altezza | 9.45mm | |
| Larghezza | 4.57 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 18A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie 600V CoolMOS CFD7 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 125mΩ | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 92W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Lunghezza 10.36mm | ||
Altezza 9.45mm | ||
Larghezza 4.57 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale N Infineon 600V CoolMOSª CFD7. CoolMOS™ è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio di supergiunzione (SJ) e pioniera delle tecnologie Infineon.
Diodo corpo ultra-rapido
Bassa carica di gate
Carica di recupero inverso (Qrr) migliore della categoria
Diodo inverso MOSFET migliorato dv/dt e robustezza DIF/dt
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