MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 1.5 Ω, 5 A, 3 Pin, TO-251, Foro passante IPS60R1K5CEAKMA1
- Codice RS:
- 218-3075
- Codice costruttore:
- IPS60R1K5CEAKMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 50 unità*
8,05 €
(IVA esclusa)
9,80 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 1150 unità in spedizione dal 02 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 50 + | 0,161 € | 8,05 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 218-3075
- Codice costruttore:
- IPS60R1K5CEAKMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | TO-251 | |
| Serie | 600V CoolMOS CE | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.5Ω | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 49W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 9nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 6.22mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 2.4 mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package TO-251 | ||
Serie 600V CoolMOS CE | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.5Ω | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 49W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 9nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 6.22mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 2.4 mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale N serie CoolMOS™ Infineon 600V. Il CoolMOS™ CE è adatto per applicazioni di commutazione dure e morbide e come moderna supergiunzione, offre basse perdite di conduzione e commutazione che migliorano l'efficienza e, infine, riducono il consumo energetico.
Robustezza di commutazione molto elevata
Facile da usare/guidare
Placcatura senza piombo, composto di stampaggio senza alogeni
Link consigliati
- MOSFET Infineon 1.5 Ω IPAK SL (TO-251 SL), Su foro
- MOSFET Infineon 0.75 Ω5 A Su foro
- MOSFET Infineon 0 12 IPAK SL (TO-251 SL), Su foro
- MOSFET Infineon 2 Ω IPAK SL (TO-251 SL), Su foro
- MOSFET Infineon 3.4 Ohm6 A Su foro
- MOSFET Infineon 900 m.Ω IPAK SL (TO-251 SL), Su foro
- MOSFET Infineon 360 MO5 A Su foro
- MOSFET Infineon 1.400 m.Ω IPAK SL (TO-251 SL), Su foro
